摘要
本文旨在深入探討利用白光干涉技術測量非晶硅(a-Si)與多晶硅(poly-Si)材料厚度的方法論,特別是在復雜多層結構中,如晶圓硅基底與多晶硅層間嵌入二氧化硅層的結構。通過結合先進的測量設備——如泓川科技提供的LT-IT50系統,以及Bruggeman光學模型的應用,本文詳細闡述了測量步驟、方法原理,并通過模擬數據展示了該技術的精確性與可靠性,為硅基電子設備制造中的質量控制提供了科學依據。

引言
在半導體工業中,非晶硅與多晶硅作為關鍵材料,其薄膜的厚度和光學性質直接影響電子設備的性能與效率。精確測量這些參數對于優化器件設計、提高生產良率至關重要。白光干涉技術因其高分辨率、非破壞性等優點,成為測量薄膜厚度的理想選擇。本文將重點介紹如何利用這一技術,結合特定的光學模型,實現對非晶態與多晶硅材料厚度的精確測量。

理論背景
1. 白光干涉原理
白光干涉基于光的波動性和干涉現象,當兩束相干光波(一束來自參考面,另一束來自樣品表面或內部界面)相遇時,會形成明暗相間的干涉條紋。通過分析這些條紋的間距和形狀,可以計算出樣品表面的形貌或薄膜的厚度。
2. Bruggeman光學模型
Bruggeman模型是一種有效介質理論,用于描述由不同折射率材料組成的混合物的光學性質。在多晶硅薄膜的情況下,該模型能夠考慮晶粒大小、分布及其對整體光學常數(折射率n和消光系數k)的影響,從而提高測量的準確性。
測量步驟與方法
1. 樣品準備
2. 測量設備設置
3. 數據采集
4. 數據分析與建模
導入干涉圖譜至專業分析軟件,應用Bruggeman光學模型。
輸入初始猜測值(如各層折射率、厚度),通過迭代算法優化模型參數,直至模擬結果與實驗數據最佳匹配。
提取最終的非晶硅、多晶硅層厚度及光學常數(n, k)。

5. 校驗與驗證
案例分析
假設一多層結構樣品,由下至上依次為:硅基底、50nm二氧化硅層、300nm多晶硅層。使用LT-IT50測量得到的干涉圖譜經處理后,得到如下初步結果:
多晶硅層厚度初步測量值為305nm,標準差±2nm。
應用Bruggeman模型后,調整折射率n=3.5±0.05,消光系數k=0.02±0.01。
二氧化硅層厚度確認為49.8nm,與預設值高度一致。
經過多次迭代優化,最終確定的多晶硅層厚度為298nm,與預設值相差僅0.2%,驗證了測量方法的準確性。

結論
本研究通過白光干涉技術與Bruggeman光學模型的結合,成功實現了對非晶硅與多晶硅材料厚度的精確測量。實驗結果表明,該方法不僅適用于簡單結構,也能有效處理復雜多層體系,為硅基電子器件的制造提供了高效、準確的檢測手段。未來,隨著技術的不斷進步,白光干涉測量技術將在半導體工業中發揮更加重要的作用,推動材料科學與電子工程領域的持續發展。
參考文獻
[此處應列出相關學術文獻、技術手冊或設備說明書等,由于是示例文章,未具體列出。]
本文通過構建一個假想的測量案例,詳細闡述了白光干涉技術在非晶態與多晶硅材料厚度測量中的應用,結合了理論分析與實際操作步驟,旨在為讀者提供一個全面、深入的理解框架。實際應用中,具體參數和步驟可能需根據樣品特性和測量設備進行適當調整。